Производитель Номер продукта:
TSM2309CX RFG
Product Overview
Производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Номер детали:
TSM2309CX RFG-DG
Описание:
MOSFET P-CHANNEL 60V 3.1A SOT23
Подробное описание:
P-Channel 60 V 3.1A (Tc) 1.56W (Tc) Surface Mount SOT-23
Инвентаризация:
68912 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12899524
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TSM2309CX RFG Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Taiwan Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
190mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
425 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.56W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
TSM2309
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
TSM2309CXRFGTR
TSM2309CXRFGCT
TSM2309CXRFGDKR
TSM2309CX RFGTR-DG
TSM2309CX RFGDKR
TSM2309CX RFGCT
TSM2309CX RFGCT-DG
TSM2309CX RFGTR
TSM2309CX RFGDKR-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TSM4NB65CI C0G
MOSFET N-CH 650V 4A ITO220AB
DMT10H025SSS-13
MOSFET N-CH 100V 7.4A 8SO
DMN30H4D0LFDE-13
MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
